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(中央社記者張建中新竹2010年8月12日電)力晶 (5346) 與爾必達合資成立的動態隨機存取記憶體 (DRAM)廠瑞晶電子 (4932) 今天宣布，成功完成爾必達40奈米2GbDDR3試產，年底前可望全面導入40奈米製程量產。


瑞晶目前以爾必達65奈米製程技術生產1Gb DDR3產品，並積極投入40奈米製程技術轉換作業；瑞晶今天表示，已成功完成40奈米2Gb DDR3試產，良率符合預期。


瑞晶指出，已順利完成2台浸潤式微影設備裝機程序，其餘設備也將在11月底前陸續搬入裝機，預料年底前將可全產能8萬片導入40奈米製程技術，提供市場主流的2Gb DDR3產品。


南科 (2408) 與美光共同轉投資的華亞科 (3474) ，預計明年中才完成42奈米製程量產轉換；瑞晶轉進40奈米製程速度將在國內DRAM廠中居領先地位。
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