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100.12.06【時報-記者柯婉琇綜合外電報導】三星電子發布消息，將就赴中國興建NAND快閃記憶體晶片廠展開相關協商，目標希望中國新廠能在2013年投產。


三星在提交給監管機關的文件中說明中國設廠計畫，預計明年開始建廠，未來將採用20奈米製程生產行動裝置使用的NAND快閃記憶體晶片。三星表示，我們已經向南韓政府提出海外設廠的申請。


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