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99.11.29【時報-台北電】雖然全球各大半導體廠尚未公佈2011年資本支出金額，但市調機構Gartner預估明年半導體廠資本支出仍將維持高檔，其中三星電子仍是全球資本支出金額最高業者，預計將達92億美元，台積電 (2330) 則以57億美元位居全球資本支出第2高業者，連續2年贏過英特爾。

而在資本支出排名前10大廠中，記憶體廠佔了6位，晶圓代工廠佔了3位，IDM廠僅剩下英特爾1家。

在2004年以前，全球資本支出金額前10大的半導體廠多以IDM廠為主，包括老牌的德儀、IBM、日本瑞薩、英特爾、超微等業者。

但2008年底的金融海嘯發生後，IDM廠加速進行資產輕減（asset-lite），關閉旗下舊有6吋或8吋廠，同時也停止獨立開發先進製程技術，改與晶圓代工廠進行合作，於是2010年至2011年的這2年內，資本支出前10大廠排名已出現洗牌。

根據Gartner預估，半導體廠在2010年的大幅投資後，2011年仍會維持在高檔，但是整個支出規模將由2010年的539億美元，至2011年小幅下降5％至511億美元。

而在資本支出金額前10大廠中，三星電子對於DRAM、NAND、晶圓代工、自有晶片等生產線均大幅擴充產能，所以明年仍是全球資本支出最高的半導體廠，預計金額將達92億美元。

晶圓代工龍頭台積電今年資本支出約59億美元，雖然市調機構預估明年資本支出將達57億美元，不過台積電董事長張忠謀日前已透露，明年資本支出金額可能高於今年。但由此來看，台積電已連續2年擠下英特爾，成為全球資本支出第2大的半導體廠。

英特爾今年資本支出維持52億美元，明年因為要擴大22奈米世代製程產能，預估明年資本支出仍會維持在50億美元。

而台積電最大競爭對手全球晶圓（GlobalFoundries）今年資本支出約25億美元，明年因為位於紐約的12吋廠將開始裝機，且要提高22/20奈米的技術研發費用，因此預估明年資本支出將提升至32億美元規模。

然而值得注意之處，是明年資本支出前10大廠中，記憶體廠就佔了6家，代表明年DRAM及NAND市場產能仍可能處於供過於求的情況，DRAM及NAND價格恐會有持續下跌壓力。而IDM廠僅剩英特爾1家，但晶圓代工廠佔了3家，則代表IDM廠後續委外代工比重將會提升，對台積電、聯電 (2303) 等將是利多消息。(新聞來源：工商時報─記者涂志豪／台北報導)