100.08.31【時報-台北電】晶圓代工大廠聯電 （2303） 昨（30）日宣佈推出嵌入式可電刪可編程唯讀記憶體（eEEPROM）新製程，技術研發上也有突破性進展，聯電將推出I/O電壓範圍為1.8V至5V，寫入抹除耐久性為100萬次的解決方案，嵌入式eEEPROM可應用於包含銀行金融卡、智慧卡、身分識別卡以及微控制器等產品，大幅提升元件電池壽命與可靠度。
聯電此次推出的eEEPROM新製程，I/O電壓範圍為1.8V至5V，在延長手持式應用產品電池壽命上，擁有優異的表現。聯電表示，標準的2.5V/3.3V或1.8V/3.3V輸入電壓，需要雙元件與電壓調整器，才能達到這些固定電壓以外的範圍，而聯電的eEEPROM解決方案，則僅需單一元件，且不需要額外的電路，即可提供1.8V至5V可變電壓範圍，此高彈性高效率的系統單晶片製程，可同時兼具更小尺寸與更長電池壽命等2項優勢。
而在耐久性，除標準的10萬次之外，聯電現提供100萬次寫入抹除循環，作為eEEPROM解決方案的另一選擇。藉由此一高效能技術，聯電客戶將可推出能大幅延長產品壽命高可靠度嵌入式記憶體元件。
聯電的eEEPROM技術目前已於0.35微米與0.25微米製程量產，並於0.18微米製程試產，0.11微米製程正在研發中，預計於明年初推出。 (新聞來源：工商時報─記者涂志豪／台北報導)
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