Cree控告旭明光電LED晶片侵權 [LED專利戰爭：Cree v. SemiLEDs]－快修網電腦補給站

2011年4月13日，位於美國北卡羅萊納州的LED大廠CREE, INC. (以下簡稱CREE)以6項專利侵權為由，在北卡羅萊納州中部聯邦地院向台灣LED晶片製造商SEMILEDS OPTOELECTRONICS(旭明光電) 提起專利侵權訴訟，指控該公司所生產、販賣的MvpLED(Metal Vertical Photon Light Emitting. Diode，金屬基板垂直電流激發式發光二極體)晶片侵犯了CREE的LED相關專利。

本案系爭專利共有6件，由發明人取得專利權後轉讓給CREE，內容皆與LED的組成構造、製造方法有關。其中專利US7737459為一種限定電流大小、功率及波長的LED；專利 7611915為一種LED的製造方法，可提供更好的隔絕及保護效果；專利7211833、US 6657236、US7795623及US7557380皆涉及LED的組成元件或材料。

US7737459: High output group III nitride light emitting diodes

US7211833: Light emitting diodes including barrier layers/sublayers

US7611915: Methods of manufacturing light emitting diodes including barrier layers/sublayers

US6657236: Enhanced light extraction in LEDs through the use of internal and external optical elements

US7795623: Light emitting devices having current reducing structures and methods of forming light emitting devices having current reducing structures

US7557380: Light emitting devices having a reflective bond pad and methods of fabricating light emitting devices

此次訴訟的系爭產品主要是旭明光電的MvpLED晶片。根據該公司所述，MvpLED相較於傳統型與覆晶型LED，具有高熱傳導率、高亮度與高可靠度等優點，可以在晶片上實現輕質量，高壽命，無色偏，可靠度佳，高效率等特性，可用於白光、UV、藍光及綠光LED上，為燈具製造廠帶來實際利益。在技術面上，MvpLED晶片的主要改進為電源以垂直方向流經元件，以大幅降低動態電阻及避免電流聚集；以及單一的出光方向(向上射出)，相較於傳統型LED有六個出光方向，MvpLED具有最好的光取出與光收集，可達成最佳的發光效率。

CREE在去年10月曾於德拉瓦州聯邦地院，以US7737459、US 7211833及US 7611915控告旭明光電美國母公司SemiLEDs專利侵權，此次再度提出侵權訴訟，不但地點轉移到CREE公司所在地的北卡州，更增加了3件於去年訴訟中未曾使用的專利，主要目的應在於把負責製造、生產的台灣子公司旭明光電也列入被告，以加大打擊範圍。

根據市場研究資料顯示，2010年LED產值達107億美元，且80%市場集中於20家LED廠商。CREE作為世界5大LED廠之一，在LED相關專利上佈局已久；根據統計，CREE於3月底止共於美國取得567件LED相關專利。面對旭明光電的直接挑戰，CREE此次連續對其提出侵權訴訟，欲藉此阻擊其發展之意圖昭然若揭。關於CREE及旭明光電的相關背景資訊，請參考科技產業資訊室之前的報導【LED戰火持續蔓延，Cree控告美商旭明光電】。(770字；表1)

表一、專利訴訟案件基本資料：CREE控告SEMILEDS OPTOELECTRONICS

訴訟名稱	Cree Inc. v. SemiLEDs Inc. et al	CREE, INC. v. SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD.	SemiLEDs Corporation et. al. v. Cree Inc.
提告日期	2010年10月8日	2011 年 4 月 13 日	2011 年 8 月 15 日
原告	Cree Inc.	CREE, INC.	SemiLEDs Corporation SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD
被告	SemiLEDs Inc. (旭明光電) Helios Crew Corp. (宇揚照明)	SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD. (台灣，旭明光電)	CREE, INC.
案號	1:10-cv-00866-UNA	1:2011cv00292	1:11-cv-00714
訴訟法院	THE DISTRICT OF DELAWARE	North Carolina Middle District Court	THE DISTRICT OF DELAWARE
系爭專利	US7,737,459；US7,211,833；US7,611,915	US7737459；US7211833；US7611915；US6657236；US7795623；US7557380	USD566056；US7,615,789；US7,646,033；USD580888
系爭產品	MvpLED晶片；P2 LED	MvpLED晶片	LED晶片設計專利及白光LED
訴狀下載

Source: 科技政策研究與資訊中心—科技產業資訊室整理，2011/04

關鍵字：專利訴訟；專利侵權；CREE, INC.；SEMILEDS OPTOELECTRONICS CO., LTD.(旭明光電)；LED照明；LED構造；MvpLED；台灣廠商

( 科技產業資訊室—Albert撰稿，2011/04/23)

後續追蹤報導：

旭明光電與Cree達成和解

2012年6月22日旭明光電與Cree互告侵權達成和解，並共同聯名提出撤告。

旭明光電回擊Cree

2011 年 8 月 15 日旭明光電回擊Cree了，以四項專利侵權為由，向Delaware法院提告。

本案四項系爭專利USD566056；US7,615,789；US7,646,033；USD580888，有關LED晶片設計專利及白光LED生產方法。

根據Morgan Keegan發表研究報告指出，LED上游晶粒製造大廠Cree Inc.的2011第二季(4-6月)的毛利率預估值恐將不到40%，低於分析師平均預期的43%。

旭明光電近一年營收

Cree近一年營收

在台灣營運、擁有台灣技術團隊的美商磊晶廠旭明光電於2010年12月9日於那斯達克(Nasdaq)順利上市。旭明光電主要投資股東為美國知名的Simplot集團持有比重為40% (他也是DRAM廠商美光創始者)，台灣LED廠光寶科也投資旭明光電達5%，其次為創投公司美商中經合集團的3%。

旭明以LED上游晶片廠之姿掛牌，直接挑戰LED上游晶粒製造大廠Cree地位，同時成為第一家具有台灣背景在美國掛牌的LED公司；由於大吃中國市場、加上列入綠能產業，受到投資銀行及投資人青睞。

據了解，部分旭明技術團隊來自於晶電2006年三合一大合併後從元砷及連勇離開的研發人員。

旭明與中國6家封裝業者共同於中國佛山合資成立磊晶廠旭瑞光電；旭明光電持股比例為49%，中國的帝光電子、國星光電等企業持股比例則為51%，預計2011年第一季投產，也預計未來3年內將於中國資本市場掛牌上市。

受到全球景氣不佳，LED產業旺季需求落空，LED產業毛利率下滑，且客戶庫存消化時間較預期更長，今年(2011)LED TV滲透率遠不及先前預估，所以下半年需求難見起色。根據研究機構 LEDinside 研究指出，預估 2011 年全球 LED 晶片供給量將可達到 1 千億顆，不過需求量約只有 890 億顆。因此，預估 2011 年供大於求的比例高達 12% 。這將迫使 2011 年下半年 LED 晶片的價格有很大下跌壓力。

反而是日本在震後因為節能需求，大力推動LED照明，刺激今年日本LED照明市場蓬勃發展，目前LED照明佔整體日本照明市場產值比重高達60％，從出貨量來看，市場佔比也達到了30％。

LED產業在台灣發展已近30年，全球LED市佔率約2成，產值僅次於日本，但由於南韓政府投入大量政府資源扶植LED產業，韓國已從2009年佔世界產值的14％，快速成長至今年(2011)的23％，逐漸趕上台灣。

( 科技產業資訊室—May撰稿，2011/08/30)

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