快修網電腦補給站

2020/02/19 14:45 時報資訊

【時報記者任珮云台北報導】太極能 (4934) 利多出鞘，取得國家專利授權、大步邁向次世代半導體碳化矽（silicon carbide）元年。太極能和國家中山科學研究院共同舉行發布會，太極能董事長謝清福表示，藉由本次與國家中山科學研究院合作，太極能第三代半導體掌握次世代關鍵碳化矽技術，開創節能環保永續企業價值。太極能曾在2013年創下太陽能獲利領先公司，但近10年太陽能產業供過於求，很多公司已消失，而太極能仍屹立不搖，工廠搬到越南後營運再上一層樓，而此次獲得中科院的技術授權後，營運將更如虎添翼！

低耗能、高效率、微型化，已成為電子產品發展的三大主流趨勢。然而為了提供電子裝置更高的能源效率，需要發展效率更高、性能更好的新一代功率元件。在過去功率元件的基本材料多半都是以矽（Si）為主，這也是傳統最為普遍的半導體材料，然而在近年開始遭遇到低耗能、高效能與小型化等三大挑戰，這使得新一代的半導體材料碳化矽（Silicon Carbide；SiC）受到市場強烈關注。

碳化矽相較於矽半導體，更偏重於其功率損耗與高溫工作特性，優於傳統的矽半導體元件，此材料能夠降低能源的切換損耗，即使在高溫環境下，仍具備絕佳的工作特性，因此被看中將成為新一代的高功率元件材料。

環保節能議題當道，碳化矽已經被認為是解決能源效率主流方案，而這也正是碳化矽在這個節能與小型化當道的年代，會被市場關注與重視的原因。碳化矽不論在熱力學、化學與物理學等方面，都是安定非常高的化合物半導體。更具備超越矽半導體的低電阻、高速工作及高溫工作特性，而且能有效降低電力輸送損耗。