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99.11.26今年DDR3 2GB合約價格自上半年來到46.5美元高點後，就開始一路走跌，至今跌幅達46%。展望明年市況，集邦科技(Trendforce)旗下研究部門DRAMeXchange預估，價格可望在明年第1季或第2季落底，隨著DRAM搭載的成長，能讓市場由超額供給回復至供需平衡，明年下半年市場價格走穩。

今年DDR3 2GB合約價格在9月上旬跌破40美元，10月下旬再度跌破30美元。11月上旬均價約25美元，與今年高點相比跌幅達46%。

雖然筆記型電腦9月出貨優於預期，由於傳統旺季需求仍不暢旺，季成長僅2.6%。在DRAM產出方面，集邦指出，除了三星由於製程優於其他同業，加上浸潤式機台移入時間早，產出量的增加在第3季達到頂峰，也讓三星在第3季營收有著亮眼的表現。

反觀其他DRAM業者，浸潤式機台移入時間點大都集中在今年下半年，產出量在第4季大增，供給大於需求加上 DRAM廠商有銷貨上的壓力，以較低的價格爭取訂單，造成10月下旬合約價加速趕底。集邦預估，今年年底DDR3合約價格可能下看20美元，季減幅度逾30%。

而預見DRAM價格大幅下跌，DRAM廠也紛紛對未來資本支出轉趨保守，如三星Fab16建設，將視未來市場狀況做調整，台系廠如力晶亦下修資本支出約20%至160億元，日台合資的瑞晶R2廠擴廠計劃也延後討論。

爾必達日前更在法說上，宣布進行減產標準型DRAM月產能6萬片，減產方向可能降低委外代工部分，或降低日本廣島廠標準型DRAM的投片量。力晶也隨後表示跟進減產標準型DRAM10-15%，將產能轉至代工產品。同時市場也傳出海力士因44nm良率不佳，影響第3季及第4季的產出。

展望2011年，集邦認為，明年DRAM產出全年成長在廠商加速製程轉進下，仍可達50%，各家的製程轉進狀況，三星35nm製程預計明年下半年將超過50%，其餘國際廠也加速3Xnm進程，海力士、美光及爾必達均預計明年第2季末量產3Xnm技術，台系廠明年則以加速轉進4xnm 以目標。各家競相轉進製程，期望將生產成本再降低，以因應DRAM快速下跌的速度。

集邦預估，價格可望在明年第1季或第2季落底，2011年PC銷售成長預計達11.8%，加上Tablet PC 刺激Mobile RAM需求成長80%以上。而在標準型DRAM價格大跌隱憂下，DRAM廠明年上半年資本支出可能將保守以對，預期明年第1季，低價DRAM可望刺激電腦廠商增加DRAM 搭載率。

同時，2011年DT以及NB單機搭載率預期將分別成長至4.22GB/4.00GB，年增率36%以及31%，市場期望DRAM搭載的成長，能讓市場由超額供給回復至供需平衡，下半年市場價格走穩。