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99.12.20分析各DRAM廠所開出產能，DIGITIMES Research分析師柴煥欣預估，2010年全球DRAM位元供給量將達20.4億Gb，較去年的13.6億Gb成長49.4%，2011年在先進製程的升級，以及產能擴增的擴充下，2011年全球DRAM位元供給量將進一步上看32.3億Gb，年增達58.8%。

其中，包括美光、南科 (2408) 、華亞科 (3474) 、瑞晶 (4932) 、爾必達等DRAM大廠，45/40奈米製程產能將於2011年大量開出，且先進製程佔營收比重將會逐季提高。柴煥欣認為，這意味著2008年下半以來DRAM控制產能擴張的時期將告一段落，轉而進入透過製程升級來擴張產能的新時期，這也將會是影響2011年全球DRAM市場景氣榮枯的最關鍵因素。

隨著2009年第2季全球景氣在歷經金融海嘯衝擊後自谷底逐季攀升，DRAM價格也同步走揚。柴煥欣指出，2006年以來，包括台、美、日等DRAM廠即因DRAM價格持續下跌而處於長期虧損窘境。而在金融海嘯期間，更因不耐景氣嚴寒，除削減資本支出，停止原先擴廠計畫外，也先後採取減產、裁員、關廠等策略因應，為的就是保有手中現金部位。

至2009年第4季前，DRAM廠商對景氣展望仍相當保守，加上缺乏足夠現金部位提供購料投片，即使面對來自PC市場需求逐季升溫，DRAM供給增加也相對有限，這也是DRAM價格自2009年第2季至2010年第2季得以維持將近5季榮景的重要原因。

然而，柴煥欣表示，2010年第2季以來，先有三星電子(Samsung Electronics)宣布26兆韓元的投資計畫，率先將30奈米製程導入量產，並大幅擴充記憶體產能；加上歐債風暴影響，來自PC市場對DRAM的需求頓時減弱，兩大因素使得DRAM價格加速下滑，1Gb DDR3現貨價從2010年第2季3.08美元跌至第4季1.16美元，跌幅達62%，且至12月都尚未見到止跌回穩的跡象。

事實上，除三星以外的主要DRAM廠，在產能擴充的腳步都顯得相當保守，但隨先進製程佔產出比重提高，產能依然出現明顯成長，以65奈米製程升級至50奈米製程，產能即可增加50%，從50奈米製程轉換至40奈米製程，產能將更進一步成長45%。

柴煥欣分析，預計明年全球DRAM DRAM位元供給量年增達58.8%，在製程升級的新時期，產量將同步走升，且先進製程佔營收比重也會逐季提高。