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(中央社記者吳佳穎台北2011年4月21日電)英特爾與美光科技合作推出新製程技術，讓智慧手機、平板電腦中的快閃記憶體容量更大、體積更小，今年下半年可望推出小於美國郵票，卻有128GBs儲存容量的樣品。
英特爾 (Intel)與美光科技 (Micron)上週宣布推出為NAND快閃記憶體開發的新20奈米 (nm)製程技術，這項技術用於生產8GB多級單元 (MLC) NAND快閃記憶體元件，可為智慧型手機、平板電腦提供高容量、體積小，但有如固態硬碟（SSD）儲存的解決方案。
這次宣布的20奈米製程是以原來的25奈米製程基礎加以改善。英特爾表示，未來還會在製程技術上持續開發越來越微小的技術。
英特爾也在與美光合資的快閃記憶體公司IM FlashTechnologies(IMFT)官方網站上表示，20奈米 (nm)製程8GB快閃記憶元件目前正在取樣，2011年下半年有望進入大規模生產；屆時，英特爾與美光公司希望還能推出16GB元件樣品，可以提供小於美國郵票，卻有128GBs容量的固態存儲解決方案。1000421
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