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101.09.07【時報記者沈培華台北報導】聯電 (2303) 與意法半導體攜手開發65奈米BSI CMOS影像感測器製程，這項背面照度式製程上的合作將擴展雙方現有的前面照度式夥伴關係。65奈米BSI製程係針對智慧手機、平板電腦等快速興起的產品。

聯電宣布，與意法半導體合作65奈米CMOS影像感測器背面照度BSI技術。雙方先前已順利於聯電新加坡Fab 12i廠產出意法半導體的前面照度式FSI製程，基於之前的成功經驗，此次合作將更進一步擴展兩家公司的夥伴關係。此1.1um像素間距的BSI製程，將於聯電新加坡Fab 12i廠展開研發，並將以開放式平台模式供客戶採用，以協助客戶迎接高解析度與高畫質(千萬像素以上)尖端智慧手機世代的來臨。

聯電負責12吋營運的資深副總顏博文表示，聯電與意法半導體攜手研發此次的專案，擴展長期夥伴的合作關係。此次協議貫徹了聯電開放式平台的合作策略，以提供客戶導向晶圓專工解決方案，來因應日益攀升的市場需求。

聯電在CIS領域，包含現有的8吋與12吋CIS製造解決方案，滿足多元化的市場需求。此次新開發的65奈米CIS技術，將具有BSI製程足以因應長期需求的優勢，除了可用於現今應用產品之外，預期未來也可應用於車用電子與工業領域。65奈米BSI製程係針對快速興起的應用產品所推出，諸如智慧手機、平板電腦、高階監視器以及消費型數位相機、數位單眼相機等，都將可在取得意法半導體的授權後採用。