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101.10.08【時報記者沈培華台北報導】華邦電 (2344) 製程轉換效應預計下半年逐季發酵，預計DRAM產品研發在46奈米製程止步，Nor Flash則將再往下走，並新增Nand Flash產品，使得產品線更為完備。

今年上半年華邦電進行製程升級，下半年可望逐步改善成本，在經過6個月客戶的導入設計後，預計製程轉換效應將會在明年完全顯現。

華邦目前包括行動式DRAM、利基型DRAM等兩項產品占產能的近六成，上半年隨著行動通訊產品熱銷，華邦low power DRAM中容量產品打進客戶的供應鏈；Nor Flash占產能比重近四成，今年在量大應用的產品上有不錯斬獲，在Serial Flash、Parallel NOR Flash都會有更高容量的產品將推出，遠程的技術開發也已有規畫。

華邦電以輕資產化為策略，目前擁有一座月產能3.5萬片的12吋晶圓廠，在製程方面，DRAM產品上半年開始轉換到46奈米製程，預計46奈米製程是最後一個由華邦電自行開發的製程世代，未來將採委外生產；Nor Flash部分，目前的58奈米製程已領先同業，公司預計持續提升製程，將再轉進46奈米製程，且將開始生產46奈米Nand Flash新產品，Flash的全產品陣容將到位。

除了提升製程預計明年開始有明顯的效益外，華邦電子加強高質化的產品以及提升服務為新的營運策略，希望擺脫價格殺價戰，啟動第二次的轉型計畫。