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（中央社倫敦2012年12月3日綜合外電報導）台灣研究人員發現，透過短暫快速加溫至攝氏800度可防止快閃記憶體失效。
快閃記憶體因具有快速記憶資料的特性，切斷電源後仍將繼續保存資料，而廣泛用於電腦及電子產品。但經過約1萬次抹寫循環後，記憶體的可靠性將大幅降低，但研究人員發現可透過加熱修復記憶體，讓它能完成1億次抹寫循環。
英國廣播公司新聞網（BBC）報導，旺宏電子（Macronix） (2337) 研究員重新設計晶片，把加熱器與快閃記憶體材料放在一起。過去學界認為熱有助恢復耗損的老舊記憶體，但過程得將快閃記憶體放在攝氏250度的爐子裡數小時，鮮少人認為這招可行。
旺宏電子研究員說，他們的加熱器可對小群的記憶單元加熱，短暫將區域內的溫度拉到攝氏800度，把受損區還原到正常狀態。
研究員說，重新設計過的晶片很安全，因為僅有非常小區域內的記憶體會受熱且時間僅數毫秒，過程只會消耗少量電力，對行動裝置的電池壽命沒有太大影響。
研究員表示，旺宏的新型記憶體晶片展現1億次讀寫循環的性能，但它的最大限度測試目前尚未完成，因為測試數千萬次讀寫就需要多週時間，數十億次循環可能須耗時「數月」。
旺宏表示有計畫利用研究獲利，但未透露何時開始將這款改良型晶片用於電子產品。
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