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（中央社記者張建中新竹2014年 5月22日電）IC設計服務廠創意電子 (3443) 宣布，DDR4矽智財(IP)採用台積電 (2330) 16奈米鰭式場效電晶體(FinFET)製程技術，並成功通過晶片驗證，為創意第1個16奈米IP。

創意指出，16奈米DDR4實體層(PHY)IP運作速度達每秒3.2Gb，較DDR3的IP提高了50%，且同一速度的功耗降低了25%。

創意表示，16奈米DDR4 PHY IP與DDR4動態隨機存取記憶體(DRAM)連接時，在同一速度下，可較同一規格的28奈米DDR3 IP降低40%核心功耗。

創意總經理賴俊豪說，16奈米DDR4 IP是設計的突破，可運用於各種高速網路架構和伺服器領域。

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