99.10.13【時報-記者柯婉琇綜合外電報導】「日本經濟新聞」周三報導，爾必達和夏普將共同研發新世代記憶體晶片ReRAM，預計在2013年進行商業化生產。可變電阻式記憶體(resistive random access memory chip,ReRAM)耗能較低，且記錄資料的速度較NAND快閃記憶體快1萬倍。


根據日經新聞報導，內建ReRAM晶片的設備能在短短數秒內下載一部高畫質電影，且在待機模式下的電力消耗趨近於零。日本產業技術總合研究所、東京大學及其他晶片設備廠也將加入爾必達和夏普的研發陣營。爾必達和夏普共同開發的ReRAM晶片可望由爾必達進行量產，預計最快在2013年展開商業化生產。


其他晶片龍頭公司也競相加入先進晶片研發行列。東芝正在開發多層結構的新型快閃記憶體。



三星電子正積極開發ReRAM、相變化記憶體(PRAM)與磁電阻式隨機存取記憶體(MRAM)晶片。
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