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（中央社記者楊淑閔台北2010年12月14日電）國家實驗研究院奈米元件實驗室（NDL）已開發出全球最小9奈米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞，容量比現行快閃記憶體增加20倍，耗電量降低約200倍，5到10年將量產。

國研院長陳文華、交通大學校長吳重雨、國研院奈米元件實驗室主任楊富量，以及負責國研院奈米元件實驗室開發「9奈米超節能記憶體」的NDL奈米生醫與微機電元件組組長何家驊今天召開記者會，公布這項重大研究成果。

何家驊指出，目前的傳統快閃記憶體從2004年的90奈米持續發展，2010年已開發到32奈米，預計2011年將開發出22奈米；但是2013年將面臨技術瓶頸，只剩多層堆疊IC及電阻式記憶體兩種技術可持續使用、開發。

他說，他的研究團隊開發出的9奈米功能性電阻式記憶體（R-RAM）陣列晶胞，是利用三氧化鎢、二氧化鎢及鎢電極的新混合結構，以及氧原子推動低耗電原理，開發出全球目前最小的9奈米R-RAM，容量比現行快閃記憶體增加約20倍，耗電量則降低約200倍。

他強調，這種新記憶體可在幾乎不需耗電的情況下，在1平方公分、僅約拇指指甲大小的面積內儲存1個圖書館的文字資料（約等同100小時3D立體電影、200小時DVD影片、10萬首MP3、100萬張照片）；且可再藉立體堆疊設計，進一步提升容量，讓資訊電子產品的輕薄短小化有無限發揮的可能性，包含筆電都將輕薄化。

這項重要開發成果，已於12月8日在美國舊金山舉行的國際電子元件會議（IEDM）正式發表，引起國際微電子產學研界高度重視，更被大會選為重點宣傳論文之一，並被其他國外電子領域專業協會如電機電子工程師協會 (IEEE)、日本經濟新聞（BP）等列為重要報導。

何家驊預計，這項新技術5到10年內量產，可讓目前全球新台幣1兆元的傳統快閃記憶體產值達2兆元，並讓只是代工、需付權利金，使得產值僅占全球產值1%不到的台灣快閃記憶體產值占比提升到占全球產值的10%。

為達這些目標，何家驊說，NDL將在明年與產學研界共組「16-8奈米元件聯盟」，以其近年來所開發的奈米技術為基礎，提供台灣產學研界研發平台，加速互補式金屬/氧化層/半導體 (CMOS)元件與記憶體元件的技術開發，並厚植台灣半導體科技的人才基礎。991214