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(中央社記者韓婷婷台北2011年8月15日電)Bridgelux (普瑞光電)今天宣布成功研發出8吋矽晶圓生成無裂痕氮化鎵層，成本會比現有採用藍寶石基板製程減少75%。為LED照明產業發展跨出一大步。

普瑞光電為LED照明技術及解決方案研發與製造領導廠商，今天宣布刷新自己創下在業界「氮化鎵上矽」技術（GaN-on-Si）最高每瓦流明紀錄。

Bridgelux利用獨家緩衝層技術，成功在8吋矽晶圓生成無裂痕氮化鎵層，並且不會在室溫下彎曲變形，進一步擴大該公司提升矽基板氮化鎵LED效能與可製造性的領先幅度。

Bridgelux公司證明其LED效能足以媲美現今的頂尖藍寶石基板LED。冷白光LED的效能高達160 Lm/W，其相對色溫CCT為4350K。以氮化鎵上矽晶圓製作的暖白光LED可提供125 Lm/W的效能，色溫為2940K，演色性指數（CRT）則是80。

Bridgelux表示，傳統LED是以藍寶石或碳化矽基板作為原料，兩者都比矽基板昂貴許多。因此，製作成本導致LED照明產品無法普及到住宅與商業建築。

然而在直徑更大、成本低廉的矽晶圓上長成氮化鎵，並採用與現代半導體生產線相容的製程，其成本會比現有製程減少75%。Bridgelux的技術發展具備大幅降低LED製造成本的潛力，使其得以與傳統白光照明技術競爭。

普瑞光電表示，今天所公布的效能等級是目前氮化鎵上矽技術迄今最高的Lm/W值，足以媲美最佳商品化等級的藍寶石或碳化矽（SiC）生成LED。

Bridgelux技術長Steve Lester表示，他們投資打造一個匯集材料科學家與晶片設計工程師的世界級團隊，對於這個領域的進展感到非常滿意，並且將繼續積極發展其氮化鎵上矽製程，驅動LED商品從藍寶石基板轉換為矽基板。該公司預計在2年內向市場推出首批商業氮化鎵上矽產品，晶電為普瑞光電的代工廠，可望成為直接受惠廠商。