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101.02.08  由於去年第4季營收大幅下滑，年減達26%，記憶體廠華邦電 (2344) 今公布去(2011)年第4季稅後純損為11.89億元，每股純損0.32元，總計去年全年稅後純損為8.34億元，每股純損0.23元。

華邦電總經理詹東義表示，去年第4季非常艱困，受到泰國水患對HDD供應鏈的衝擊，部分產品價格因競爭壓力、PC、TV及功能性手機等需求疲弱影響，各產品線營收及獲利皆較第3季明顯衰退。不過，46奈米 DRAM產品及58奈米 Flash產品已順利進入量產，預計從今年下半年起效益開始浮現。

詹東義指出，第4季各產品線占營收比例與第3季接近， Specialty DRAM為47%，NOR Flash為37%， Mobile RAM為14%。

展望今年，詹東義表示，3大類產品中Flash目標是表現要比業界好，要持續做大，今年目標占總營收比重達40%；Specialty DRAM追求穩健成長，而Mobile RAM則是產品組合的轉型動力。

詹東義強調，華邦電將持續發展全方位中低密度記憶體解決方案，加速製程轉換，推出多元性產品組合。其中，Flash將聚焦於小尺寸封裝產品，增加網通應用及手持裝置的市占，並進一步發展儲存型快閃記憶體(NAND Flash)產品線，預計於今年底至明(2013)年第1季左右推出新產品。

而在Specialty DRAM方面，預期HDD營運在上半年逐漸恢復正常，也將改善Specialty DRAM產品組合，追求長期業績穩定及提升獲利能力。至於Mobile RAM則積極佈署46奈米製程產品，除強化中密度Low Power DRAM產品線於PC週邊設備及手持裝置應用，高密度Pseudo RAM亦可望挹注未來營收表現。

詹東義也說，去年第4季的不利因素已幾乎反映完畢，相信今年的景氣「會很理性」。