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102.10.16
在科技蓬勃發展下，MEMS元件已成智慧產品核心，為降低企業投入MEMS開發時，因過去的分析技術而難以找出MEMS失效原因，宜特 (3289) 科技宣布，建構出MEMS G-Sensor標準失效分析流程，此流程已被許多公司採用，目前全台開發MEMS G-sensor的公司中，約達 9 成已在iST宜特協助下解決失效問題。
宜特指出，研發的MEMS G-Sensor失效分析標準流程，也正式通過全球最具代表性，電子元件檢測失效分析技術研討會ISTFA支認可，成為全台第一家，且是唯一一家擁有MEMS研究團隊的實驗室。
宜特表示，許多公司欲了解MEMS元件失效狀況時，由於對其結構認知度、掌握度不夠，因此以傳統方式做開蓋(De-cap)觀察，容易造成元件汙染。
此外，因元件為懸浮結構，以外力移除時易產生毀損，在兩造影響下，容易造成元件汙染和應力破壞，不只沒找出真因，反而製造更多失效盲點。
為克服此問題，宜特今年已成功開發出MEMS無污染的De-cap技術，結合無應力的元件移除技術，以非破壞方式保留結構原貌，避開機械應力和汙染產生的非真因失效，目前已協助30多家MEMS設計、製造與封裝企業，找出失效點並成功改善，搶攻市場先機。
宜特營運長林正德指出，2007年預見此市場需求後即投入研發，全面佈局MEMS等新興產品失效分析技術，近幾年在大量實務經驗深耕下，更在今年建立出MEMS標準失效分析流程。
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