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103.04.03

III-V族化合物磊晶廠F-IET英特磊 (4971) 今(3)日參加櫃買中心業績發表會，董事長康潤生表示，今年在磊晶技術研究、銻化鎵基板的拉晶、切割、拋光研磨等品質與技術皆大幅進步，其中束磊晶(MBE)生產機台自行維護與硬體系統製程品質達到進軍商業市場所需，今年砷化鎵、磷化銦、銻化鎵等三大產品線持續成長下，毛利率仍將維持40%以上，今年營運將比去年好。

F-IET去年營收為5.7億元，年增2.2%，毛利率為42.1%，營益率18.7%，毛利率與營益率較前年的42.5%、21.7%下滑，稅後淨利1.05億元，年減10.3%，每股盈餘3.81元。康潤生表示，獲利衰退是受到SOI(Silicon on insulator,絕緣層覆矽技術)對於pHEMT產品的替代，但因非行動通訊的高端高速產品需求快速成長，砷化鎵磊晶產品仍有成長空間，其他以磷化銦磊晶與銻化鎵基板及磊晶垂直整合為主流的高毛利產品，可望隨著高速光纖通訊及雲端延伸應用而成長。

康潤生指出，今年成長動能仍在砷化鎵、磷化銦、銻化鎵等3大產品線，就砷化鎵部分，公司將持續與法國Soitec公司策略聯盟，進行技術授權、產能互補與生產設備移轉，爭取大廠訂單，此外，也會深耕非行動通訊的高端高速產品需求，例如汽車防撞雷達、高速光纖通訊、與衛星通訊晶片等產品並擴張日本一線大廠的磊晶片市場。

康潤生進一步指出，磷化銦部分，去年在光電產品於資料中心(data center)與雲端運算(cloud computing)應用上皆有顯著成長的趨勢；今年則將持續加強拓展光偵檢器市場，開發關鍵磊晶技術；至於銻化鎵部分也將拓展紅外磊晶片商業應用，開發生產其他III-V及II-VI化合物半導體基板原料，以擴大產品領域。

康潤生強調，隨著產品佈局逐漸到位，加上今年毛利率仍將維持4成之上，在3大產品線持續成長下，營收可望2位數成長，獲利有信心優於去年。