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100.04.18 【時報記者沈培華台北報導】爾必達 (916665) 轉投資的瑞晶電子 (4932) 宣布，已成功試產出使用爾必達所開發30奈米製程的2Gb DDR3晶片，未來將加速進行製程轉換，預計於2011年下半年全面導入量產，並同時生產4Gb DDR3 DRAM。
瑞晶表示，此次試產成功之2Gb DDR3 DRAM產品，係使用爾必達所開發，低耗電、高效能之全新30nm製程技術，每片晶圓產出晶粒量比40nm製程多出45%，可有效降低生產成本。瑞晶電子總經理陳正坤指出，此次試產結果，不論品質、良率均相當令人滿意，將繼續加速進行製程轉換，希望能在2011年下半年，將月產能8.5萬片的全產線，百分之百轉換完成。
爾必達社長暨執行長土反本幸雄先生表示，新的2Gb DDR3 DRAM不但是2011年的主流產品，更特別適用於消費性電子產品。
瑞晶新的2Gb DDR3 DRAM傳輸率高達1600Mbps，只需1.35伏特的電壓，並兼容DDR3-Plus(Seamless BL4 access)標準，可有效提升消費性電子產品的表現。同時，瑞晶電子也將推出4Gb DDR3 DRAM之大容量記憶體產品。
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