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100.10.28  華邦電 (2344) 今(28)日公布第3季季報顯示，因需求疲軟以及產品價格下跌，第3季由盈轉虧，單季稅後虧損4100萬元，每股稅後淨損0.02元，是近兩年來首次單季出現虧損。

華邦電第3季營收69.18億元，季減7%；累計前3季營收214.97億元，稅後淨利3.46億元，EPS0.09元。

對於三大產品線，華邦電總經理詹東義表示，由於手機應用市場需求龐大，快閃記憶體(NOR Flash)仍是產品銷售主力，占第3季總營收比重逾40%，營收季增9%，年增率達12%，也預計新世代58nm產品將於今年底前量產將有利降低成本。詹東義指出，快閃記憶體月產能可望提升至14000片。

而利基型記憶體(Specialty DRAM)占第3季營收比重達44%，表現與第2季持平，詹東義說，目前65nm製程比重達86%，而自行開發的46nm製程技術產品，預計於明年第1季推出。

另外，行動記憶體(Mobile RAM)則因手機平台改版，ASIC產品出貨量減少，不過預估調整時間至明年第二季就會恢復正常成長。

詹東義表示，全球經濟景氣放緩，雖快閃記憶體第4季出貨量可望持平以上，不過價格恐怕持續下跌；另外，泰國水患導致全球硬碟供應鏈受創，對於生產DRAM以及快閃記憶體皆供應給硬碟製造廠的華邦電來說，將受部分衝擊，預估第4季至明年第1季將反映於財報上，因此第4季營運保守看待，估計營收將較第3季下滑。

不過詹東義也指出，公司將持續調整高毛利率產品組合，加速先進製程轉換來強化成本競爭力，創造產品的附加價值，並持續技術創新布局利基型記憶體市場。